充電電路的控制吸收電容充放電電路圖
下面給大家介紹一種控制吸收電容充放電的電路圖。
（a）原理電(dian)路；
（b）實用電路控制吸收電容充放電的電路圖
來自PWM集成控制器的脈沖使其通／斷工作。為使VF2的通／斷時間與VF1相反，增設雙向延時電路S1。現假設VF1為截止狀態，VF2為導通狀態，吸收電容Cr充電到VF1的漏極－源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪涌電壓。在由延時電路確定的延時時間后VF2截止，但這時，Cr兩端電壓等于加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關器件斷開方式。
二次側二極管VD2的電流降為零，變壓器無勵磁能量。此時一次主繞組N1感應的回掃電壓變為零，以高于C1上電壓進行充電的吸收電容C1對一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經VF2的寄生二極管（虛線所示）流通。Cr放電開始時，VF2必須截止。由于Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產生諧振。
若VF2為導通狀態，諧振繼續衰減振蕩，但VF2截止狀態時，電容Cr兩端電壓為零時振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續產生較短周期的諧振。VF1再度導通時，軔小電容放電電流流經VF1本身而消耗掉。VF1導通時，其小容量電容充電的電壓隨導通時間而改變，但Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會增大。
一般的(de)M0S－FET寄生二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)恢(hui)復特性不適宜(yi)高頻，因(yin)此，增(zeng)設低(di)(di)耗(hao)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)作為(wei)電(dian)(dian)容(rong)放電(dian)(dian)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)，為(wei)使放電(dian)(dian)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)全部流(liu)(liu)(liu)經二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)VD1，在VF2回(hui)路中增(zeng)加了(le)逆阻(zu)斷二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)VD2．逆阻(zu)斷二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)VD2的(de)耐壓(ya)大于(yu)VD1的(de)正向(xiang)壓(ya)降即(ji)可(ke)(ke)，因(yin)此，選用(yong)肖特基(ji)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)（SBD）。另外，雙向(xiang)延(yan)(yan)時(shi)(shi)元件宜(yi)采用(yong)可(ke)(ke)飽和(he)電(dian)(dian)抗器，延(yan)(yan)時(shi)(shi)元件和(he)YF2的(de)輸(shu)入電(dian)(dian)容(rong)共同決(jue)定延(yan)(yan)時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)，需要較長延(yan)(yan)時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)時(shi)(shi)，可(ke)(ke)在柵極(ji)(ji)(ji)增(zeng)接電(dian)(dian)容(rong)。輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)一減小(xiao)，VF1的(de)導(dao)(dao)通時(shi)(shi)間(jian)就變短(duan)。這導(dao)(dao)通時(shi)(shi)間(jian)若短(duan)于(yu)延(yan)(yan)時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)，則VF1截止后(hou)，VF2導(dao)(dao)通，因(yin)此，VF1漏極(ji)(ji)(ji)－源極(ji)(ji)(ji)間(jian)電(dian)(dian)壓(ya)UDS的(de)波形偏離正常波形，功耗(hao)也稍增(zeng)大。為(wei)降低(di)(di)最(zui)(zui)小(xiao)輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)，延(yan)(yan)時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)要非常短(duan)，這樣，就不能充分有效利(li)用(yong)電(dian)(dian)容(rong)Cr。這里，作為(wei)大致目(mu)標，最(zui)(zui)小(xiao)輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)設定為(wei)最(zui)(zui)大輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)2％～3％。