近期，美國西北大(da)學的(de)(de)研(yan)究團隊表示(shi)，已經(jing)找到了突破(po)目(mu)前鋰離子(zi)電(dian)(dian)(dian)池(chi)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)量和充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)速(su)度限制的(de)(de)方法。該新方法不(bu)僅(jin)讓充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)量增(zeng)加了十倍，充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)時(shi)間也只 需(xu)原來的(de)(de)十分之一(yi)。據悉，該項(xiang)研(yan)究成果對手(shou)機(ji)、Pad、PC等許(xu)多電(dian)(dian)(dian)子(zi)產(chan)品影(ying)響深遠，尤其可以解決智能手(shou)機(ji)電(dian)(dian)(dian)池(chi)續航能力不(bu)足的(de)(de)軟肋，為最終用戶提(ti)供更多便(bian) 捷。相關(guan)科學家表示(shi)，這(zhe)項(xiang)技(ji)術(shu)有望在三到五年內在市場量售。

    引領電(dian)池技術發展方向(xiang)

    美國西北大學教授Harold Kung與他的研究團隊指出，在充電效率方面，該技術的關鍵在于鋰離子在石墨烯層間的流動狀態離子在其中的流動速度直接影響到由充電器充電速度的快慢。而為了加速流動速度，該團隊研究出改變石墨烯排列，使其成為數百萬個只有10nm~20nm大小的蜂槽型柱狀體，制造出更適合鋰離子流動的“快速快捷方式”。也因為 如此，該團隊實現將原來電池充電時間縮短(duan)到1/10的(de)成績(ji)。

    在(zai)(zai)充電容量方(fang)面，該團隊研究將小群的(de)硅（Silicon）置入石墨烯層之間，達成(cheng)提升(sheng)電池內部鋰(li)離(li)子(zi)的(de)密度(du)的(de)效果(guo)。歸功于(yu)石墨烯所提供高延展特性，這樣的(de)技(ji)術突破也使(shi)聚集在(zai)(zai)電極附近(jin)鋰(li)離(li)子(zi)更多，也因(yin)此(ci)使(shi)因(yin)為(wei)硅膨脹(zhang)所造(zao)成(cheng)的(de)老問題獲(huo)得解決。如(ru)此(ci)一(yi)(yi)來，這顆使(shi)用新技(ji)術的(de)電池在(zai)(zai)完(wan)全充滿電之后，使(shi)用時間將可整整維持一(yi)(yi)周。“如(ru)今我們即將在(zai)(zai)雙方(fang)面都(dou)得到(dao)最(zui)佳表(biao)現。”Kung表(biao)示(shi)，因(yin)為(wei)硅技(ji)術的(de)進步，業界獲(huo)得更高的(de)蓄電密度(du)，甚至就算硅團簇 （Silicon Clusters）分離(li)也不會(hui)造(zao)成(cheng)硅的(de)消(xiao)失。

    新技術仍需完(wan)善

    不(bu)過此技術仍有(you)尚待改進之處新電(dian)(dian)池會在充(chong)(chong)電(dian)(dian)150次后(hou)，效率(lv)急劇下滑(hua)。但(dan)Kung也指出增加電(dian)(dian)池的充(chong)(chong)電(dian)(dian)保(bao)持(chi)（Charge Retention）能(neng)力將足以(yi)彌補這樣的缺點，“即使仍維持(chi)150次的充(chong)(chong)電(dian)(dian)次數表現，但(dan)壽命也可達一(yi)年(nian)或更(geng)久，更(geng)別(bie)說電(dian)(dian)池在此之后(hou)仍擁(yong)有(you)現有(you)鋰電(dian)(dian)池的五(wu)倍效率(lv)”。

    另據悉，雖然該(gai)技術(shu)被認為是電(dian)池技術(shu)領域的開創性(xing)重大突破，已(yi)將蓄電(dian)密度提高(gao)到(dao)了理論(lun)極限值的八成左右，在工程上算是完美(mei)了，但目(mu)前該(gai)項目(mu)還(huan)需要大筆投資來量產。